隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，要求在越來(lái)越小的空間上安裝更多的器件，但遇到的最大問(wèn)題是金屬的遷移問(wèn)題尤其是銀離子遷移將會(huì)使相鄰導(dǎo)體之間的絕緣電阻下降漏電流增加，嚴(yán)重的甚至有短路、電弧介質(zhì)擊穿現(xiàn)象發(fā)生。據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，金屬遷移是許多微電路發(fā)生災(zāi)難性失效的主要原因之一“。它已成為電子產(chǎn)品邁向小型化、高集成化的一大難題。因此，如何克服銀系導(dǎo)電材料的遷移短路問(wèn)題，或者提高其它復(fù)合導(dǎo)電材料導(dǎo)電性，克服銀離子遷移缺點(diǎn)是復(fù)合型導(dǎo)電材料的主要研究方向。
采用自制銀包銅粉作導(dǎo)電相制備低溫聚合物漿料。采用水滴法實(shí)驗(yàn)對(duì)比銀粉、銀包銅粉為導(dǎo)電相制備的聚合物漿料的銀遷移過(guò)程，對(duì)遷移實(shí)驗(yàn)前后陽(yáng)極溶解、遷移生成物進(jìn)行SEM、EDS和XRD分析測(cè)試，結(jié)果表明:銀包銅粉為導(dǎo)電相制備的聚合物導(dǎo)體漿料的抗銀遷移性能大大優(yōu)于聚合物銀漿,銀包銅粉具有優(yōu)異的抗銀遷移能力。
